Descrição
MOSFET de canal N automotivo de alta performance, projetado para aplicações de gerenciamento de energia em veículos.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 100 A |
| RDS(on) máximo | 4.2 mOhm a VGS = 10 V |
| Tensão Gate | Source (VGS) nominal: ±20 V |
| Package | PG-TO262-3 |
| Classificação automotiva | Sim |
| Temperatura de operação | -55 °C a +175 °C |
| Encapsulamento | Automotive Qualified |
| AEC | Q101 qualificado: Sim |
| Corrente de Drain Pulsada (Id, pulse) | 400 A |
| Tensão de Threshold (VGS(th)) típica | 2.5 V |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do AUIRF7484QTR?
O AUIRF7484QTR utiliza o encapsulamento PG-TO262-3 e é qualificado para uso automotivo.
Qual a faixa de temperatura de operação do AUIRF7484QTR?
O AUIRF7484QTR opera em uma faixa de temperatura de -55 °C a +175 °C.
Qual a tensão máxima Drain-Source e a corrente contínua do AUIRF7484QTR?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima do AUIRF7484QTR é de 100 V e a corrente Drain contínua (Id) é de 100 A.