Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance da família OptiMOS™ 6, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 6 |
|---|---|
| Tipo de transistor | Canal N |
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain contínua (Id) | 13 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 190 mΩ a 10 Vgs |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V |
| Temperatura de operação | -55 °C a 150 °C |
| Encapsulamento | PG-TO263-3-1 |
| Corrente de pulso Drain (Id,pulse) | 52 A |
| Carga de Gate (Qg) | 22 nC |
| Capacitância de entrada (Ciss) | 750 pF |
| Capacitância de saída (Coss) | 100 pF |
| Capacitância de transferência (Crss) | 15 pF |
FAQ
Qual o encapsulamento do Infineon 6R190C6?
O Infineon 6R190C6 utiliza o encapsulamento PG-TO263-3-1.
Qual a faixa de temperatura de operação do Infineon 6R190C6?
O Infineon 6R190C6 pode operar em temperaturas que variam de -55 °C a 150 °C.
Qual a tensão de Gate-Source (Vgs) máxima do Infineon 6R190C6?
A tensão de Gate-Source (Vgs) máxima do Infineon 6R190C6 é de ±20 V.