Infineon 2SC0101T2A017: Transistor IGBT de Alta Performance
O Infineon 2SC0101T2A017 é um transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de última geração, projetado para oferecer alto desempenho e eficiência em aplicações de comutação de alta potência. Pertencente à renomada família TRENCHSTOP™ T2, este componente combina tecnologias avançadas para proporcionar excelente desempenho e confiabilidade.
Características Principais do 2SC0101T2A017
- Tensão coletor-emissor (VCE) de 1700V
- Corrente de coletor (IC) de 80A
- Baixa resistência de estado ligado (VCE(sat))
- Tempo de comutação rápido
- Excelente robustez e confiabilidade
- Encapsulamento TO-247-3
Aplicações do Transistor IGBT Infineon
O Infineon 2SC0101T2A017 é ideal para uma ampla gama de aplicações de alta potência, incluindo:
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Inversores solares
- Condicionadores de energia
- Sistemas de acionamento de motores industriais
- Soldagem
- Aquecimento por indução
Benefícios do 2SC0101T2A017
Este transistor IGBT oferece uma série de benefícios significativos para seus projetos:
- Alta eficiência: A baixa resistência de estado ligado e o tempo de comutação rápido minimizam as perdas de energia, resultando em maior eficiência geral do sistema.
- Confiabilidade excepcional: A tecnologia TRENCHSTOP™ T2 garante robustez e confiabilidade mesmo em condições operacionais exigentes.
- Alto desempenho: O 2SC0101T2A017 permite a comutação de altas correntes e tensões, tornando-o ideal para aplicações de alta potência.
- Facilidade de uso: O encapsulamento TO-247-3 padrão da indústria facilita a integração em seus projetos.
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Observação: As especificações podem estar sujeitas a alterações sem aviso prévio. Consulte a folha de dados do fabricante para obter as informações mais atualizadas.
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