IGBT 650V 150A com Diodo Anti-Paralelo TO247PLUS 4 – IKY150N65EH7

O IKY150N65EH7 é um IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) de 650 V e 150 A, fabricado pela Infineon Technologies. Este componente discreto, desenvolvido com a tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT7 H7, apresenta um diodo anti-paralelo integrado e é encapsulado em um TO247PLUS 4. O IKY150N65EH7 foi projetado para atender à demanda por soluções eficientes e de baixo consumo em aplicações de energia verde, oferecendo melhorias significativas em relação às gerações anteriores de IGBTs. Sua tecnologia permite uma comutação rápida e eficiente, ideal para aplicações como inversores solares, sistemas de acionamento de motores, fontes chaveadas e conversores de frequência. O IKY150N65EH7 se destaca pela sua capacidade de lidar com altas correntes e tensões, garantindo a confiabilidade e durabilidade em ambientes industriais exigentes. A escolha do encapsulamento TO247PLUS 4 otimiza o desempenho térmico do componente, contribuindo para a sua longevidade.