Módulo IGBT Fuji 6MBP50TEA120
Procurando por um módulo IGBT de alta qualidade e confiabilidade para sua aplicação? Apresentamos o Fuji 6MBP50TEA120, um componente eletrônico de potência que oferece desempenho excepcional e durabilidade.
Especificações Técnicas do 6MBP50TEA120
O módulo 6MBP50TEA120 é um dispositivo semicondutor que combina as características de um transistor bipolar de porta isolada (IGBT) com um diodo emissor de luz (LED). Ele pertence à sétima geração de IGBTs da Fuji Electric, projetada para oferecer alta eficiência e baixo consumo de energia em aplicações de alta potência.
Confira as principais características do Fuji 6MBP50TEA120:
- Tensão coletor-emissor (VCES): 1200V
- Corrente coletor (IC): 50A
- Frequência de chaveamento: 20kHz
- Temperatura de junção (Tj): -40°C a 150°C
- Encapsulamento: EconoPACK™ 2
O encapsulamento EconoPACK™ 2 oferece excelente isolamento elétrico e dissipação térmica, garantindo a operação confiável do módulo mesmo em condições extremas.
Aplicações do Módulo IGBT Fuji
O 6MBP50TEA120 é ideal para uma variedade de aplicações que exigem alta potência e eficiência, como:
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Inversores de frequência
- Controladores de motor
- Sistemas de aquecimento por indução
- Soldagem
Benefícios do 6MBP50TEA120
Ao escolher o módulo IGBT Fuji 6MBP50TEA120, você se beneficia de:
- Alta eficiência energética, reduzindo perdas e custos operacionais.
- Excelente desempenho em alta frequência, permitindo o controle preciso de motores e outros dispositivos.
- Confiabilidade e durabilidade, garantindo a operação estável do seu sistema.
- Tecnologia avançada da Fuji Electric, líder mundial em semicondutores de potência.
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