Módulo IGBT Fuji 2MBI450VH-120-50: Alta Potência e Eficiência para suas Aplicações
Procurando por um módulo IGBT de alta performance para seu projeto? Apresentamos o Fuji 2MBI450VH-120-50, um componente eletrônico de potência que oferece desempenho excepcional e confiabilidade incomparável. Perfeito para aplicações que exigem alta tensão e corrente, como inversores de frequência, fontes de alimentação ininterruptas (no-breaks) e sistemas de acionamento de motores, o 2MBI450VH-120-50 da Fuji Electric é a solução ideal para elevar a eficiência e o controle do seu sistema.
Especificações Técnicas do 2MBI450VH-120-50
Este módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) da série V (6ª geração) da Fuji Electric possui características que o tornam uma escolha superior para suas necessidades:
- Tensão coletor-emissor (VCES): 1200V
- Corrente de coletor (IC): 450A
- Temperatura máxima de junção (Tvj): 175°C
- Configuração: 2 em 1 pacote (dual)
- Pacote: M276
Com essas especificações, o módulo IGBT 2MBI450VH-120-50 garante alta capacidade de comutação, baixas perdas e excelente robustez, suportando as demandas de aplicações de alta potência.
Aplicações do Módulo IGBT Fuji
A versatilidade do Fuji 2MBI450VH-120-50 permite sua utilização em uma ampla gama de aplicações, incluindo:
- Inversores de frequência para controle de motores AC
- Fontes de alimentação ininterruptas (no-breaks) para garantir a continuidade da energia
- Sistemas de acionamento de motores em equipamentos industriais
- Conversores de energia para aplicações em energias renováveis, como energia solar e eólica
- Soldagem a arco e outras aplicações de alta corrente
Benefícios de Escolher o Fuji 2MBI450VH-120-50
Ao optar pelo módulo IGBT Fuji 2MBI450VH-120-50, você garante:
- Alta eficiência energética: Reduza suas perdas de energia e aumente a eficiência do seu sistema.
- Confiabilidade e durabilidade: Conte com um componente robusto e com longa vida útil, projetado para operar em condições exigentes.
- Tecnologia avançada: Beneficie-se da expertise da Fuji Electric em semicondutores de potência.
- Desempenho superior: Obtenha alta velocidade de comutação e baixas perdas de condução.
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