Módulo IGBT 2FI100F-030N Fuji Electric
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O 2FI100F-030N é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de alta potência e desempenho, projetado para aplicações industriais exigentes. Fabricado pela Fuji Electric, líder global em semicondutores de potência, este módulo oferece confiabilidade excepcional e eficiência energética.
Especificações Técnicas do 2FI100F-030N:
- Tensão coletor-emissor (Vces): 300V
- Corrente de coletor (Ic): 100A
- Frequência de chaveamento: 20kHz
- Tempo de desligamento (tf): 300ns
- Encapsulamento: Módulo de 6 pinos
- Temperatura de operação: -40°C a 150°C
Aplicações do Módulo IGBT Fuji:
O módulo IGBT 2FI100F-030N é ideal para uma ampla gama de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Inversores de frequência
- Sistemas de acionamento de motores
- Soldagem
- Aquecimento por indução
- Energia renovável (solar e eólica)
Benefícios do 2FI100F-030N:
Ao escolher o módulo IGBT 2FI100F-030N da Fuji Electric, você se beneficia de:
- Alta eficiência energética, reduzindo perdas de energia
- Excelente desempenho em alta frequência
- Baixa queda de tensão, otimizando a eficiência
- Proteção contra curto-circuito e sobrecarga
- Construção robusta para maior confiabilidade em ambientes industriais
Encontre o 2FI100F-030N na Mokka Sensors:
A Mokka Sensors oferece o módulo IGBT 2FI100F-030N da Fuji Electric para atender às suas necessidades de projetos eletrônicos. Entre em contato conosco para mais informações sobre este componente e outros produtos da Fuji Electric.
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