Módulo IGBT Semikron SKM50GB12V
O módulo IGBT SKM50GB12V da Semikron é projetado para atender às demandas de aplicações que exigem alta performance e confiabilidade. Sua configuração em ponte completa o torna ideal para topologias de inversores trifásicos e conversores de frequência. A capacidade de operar com tensão de bloqueio de 1200V e corrente de coletor de 50A o torna adequado para uma ampla gama de projetos. A robustez térmica, com temperatura de junção máxima de 175°C, garante operação estável mesmo em condições adversas.
Este módulo utiliza diodos CAL4 de 4ª geração para comutação suave, minimizando perdas e aumentando a eficiência. O resistor de Gate integrado simplifica o design do circuito, reduzindo a necessidade de componentes externos e facilitando a implementação. A certificação UL assegura a conformidade com padrões internacionais de segurança.
Especificações
- Tecnologia: IGBT Trench de 6ª geração (Fuji)
- Configuração: Ponte completa (Half Bridge)
- Tensão de bloqueio (VCES): 1200V
- Corrente de coletor (ICnom): 50A
- Diodo: CAL4 de 4ª geração
- Resistor de Gate integrado: Sim
- Invólucro: SEMITRANS 2
- Temperatura de junção máxima (Tj): 175°C
- Certificação: UL (arquivo nº E63532)
Compatibilidade e aplicações
O módulo SKM50GB12V é amplamente utilizado em:
- Inversores solares
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Sistemas de acionamento de motores
Referência do fabricante
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Datasheet (PDF)
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