Módulo IGBT Semikron SKiM601GD126DM
O módulo IGBT Semikron SKiM601GD126DM é projetado para otimizar o desempenho em diversas topologias de inversores trifásicos. Sua robustez térmica e os diodos CAL (Controlled Axial Lifetime) permitem aplicações em ambientes exigentes. Este módulo é ideal para sistemas que demandam alta capacidade de corrente e frequência de chaveamento, garantindo eficiência e confiabilidade.
Com tecnologia IGBT Trench Gate com camada de parada de campo, o SKiM601GD126DM minimiza perdas de energia, tornando-o adequado para aplicações onde a eficiência é crucial. Sua construção com placa de cerâmica AIN DCB (Direct Copper Bonded) e contatos térmicos por pressão asseguram uma operação estável e duradoura.
Especificações
- Tecnologia: IGBT Trench Gate com camada de parada de campo
- Tensão coletor-emissor (Vces): 600V
- Corrente de coletor (Ic): 1200A
- Frequência de chaveamento: Alta frequência
- Invólucro: SKiM com baixo indutância
- Diodos: Diodos CAL inversos rápidos e suaves
- Isolamento: Placa de cerâmica AIN DCB (Direct Copper Bonded)
- Contatos térmicos: Tecnologia de contato por pressão
- Conexão do driver: Sistema de contato por mola
- Sensor de temperatura: Integrado
Compatibilidade e aplicações
O módulo SKiM601GD126DM é amplamente utilizado em inversores trifásicos para acionamento de motores, sistemas de UPS (Uninterruptible Power Supply) e em aplicações de tração elétrica. Sua capacidade de lidar com altas correntes e tensões o torna adequado para fontes industriais de alta potência.
Referência do fabricante
Informação não disponível.
Datasheet (PDF)
Informação não disponível.
