Semikron SKM1000GAR17R8 – Módulo IGBT de Alta Potência
O Semikron SKM1000GAR17R8 é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) projetado para aplicações industriais que exigem alta capacidade de corrente e tensão. Sua topologia single switch o torna adequado para uso em conversores de frequência, inversores e fontes de alimentação chaveadas. A robustez térmica do módulo, aliada à sua tecnologia de 8ª geração da Renesas, garante operação confiável mesmo em ambientes de alta exigência.
Este módulo IGBT se destaca em aplicações que demandam alta eficiência e baixa dissipação de energia. A combinação de sua capacidade de corrente de 1000A com a tensão coletor-emissor de 1700V o torna uma escolha excelente para sistemas que precisam lidar com picos de corrente e tensão, mantendo a integridade e o desempenho do sistema. A dissipação de energia otimizada durante a ligação e desligamento contribui para a longevidade e eficiência do sistema.
Especificações
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Tecnologia | IGBT de 8ª Geração da Renesas |
| Tensão coletor-emissor (VCES) | 1700V |
| Corrente de coletor nominal (IC) | 1000A |
| Configuração | Single Switch |
| Pacote | SEMITRANS 10 (250x90x38 mm) |
| Peso | 1.25 kg |
| Dissipação de energia durante a ligação (Eon) | 415 mJ |
| Dissipação de energia durante o desligamento (Eoff) | 345 mJ |
| Corrente contínua direta (IF) | 1449A (a 25°C) |
| Tensão direta (VF) | 1.78V (a 25°C) |
| Dissipação de energia durante a recuperação reversa (Err) | 185 mJ |
Compatibilidade e aplicações
O módulo IGBT SKM1000GAR17R8 é amplamente utilizado em:
- Inversores de frequência para controle de motores.
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS).
- Sistemas de tração, como em veículos elétricos.
Referência do fabricante
N/A
Datasheet (PDF)
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