Módulo IGBT Semikron SKiM601TMLI12E4B
O módulo IGBT SKiM601TMLI12E4B da Semikron é otimizado para topologias trifásicas de 3 níveis, oferecendo alta performance em aplicações de alta potência. Sua configuração com tecnologia IGBT 4 Trench Gate permite operação eficiente em inversores com tensões de até 1200V e correntes de até 600A. A robustez térmica do SKiM601TMLI12E4B, com faixa de temperatura de junção de -40°C a +175°C, assegura confiabilidade em ambientes desafiadores.
A estrutura Direct Copper Bonded (DCB) com isolamento em Al2O3, combinada com contatos por pressão para terminação térmica e por mola para controle, garante uma montagem simplificada e uma excelente dissipação de calor, prolongando a vida útil do componente.
Especificações
- Tecnologia: IGBT 4 Trench Gate
- Tensão de Coletor-Emissor (VCES): 1200V
- Corrente de Coletor (IC): 600A
- Configuração: 3 Níveis
- Temperatura de Junção (Tj): -40°C a +175°C
- Isolamento: Al2O3 DCB
- Tecnologia de Contato: Pressão (térmico), Mola (controle)
- Proteção contra Curto-Circuito: Autolimitante a 6 x IC
- Sensor de Temperatura: Integrado
Compatibilidade e aplicações
O módulo SKiM601TMLI12E4B é ideal para uso em uma variedade de aplicações, incluindo inversores para sistemas de tração, inversores de frequência para fontes industriais e em sistemas de energia ininterrupta (UPS).
Referência do fabricante
Informação indisponível.
Datasheet (PDF)
Informação indisponível.
