Módulo IGBT Semikron SEMiX703GB12M7p
O módulo IGBT SEMiX703GB12M7p da Semikron é projetado para otimizar o desempenho em aplicações de alta potência, utilizando a topologia de ponte de meia onda (Half Bridge). Sua robustez térmica e a ampla faixa de temperatura de operação (-40°C a +150°C) garantem a confiabilidade em ambientes desafiadores. Este módulo é ideal para sistemas que exigem alta eficiência e controle preciso.
Com corrente de coletor de 700A e tensão de coletor-emissor de 1200V, o SEMiX703GB12M7p é adequado para uma variedade de aplicações que demandam alta capacidade de comutação e proteção contra sobrecorrente e sobretensão.
Especificações
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Tensão de Coletor-Emissor (VCES) | 1200V |
| Corrente de Coletor (IC) | 700A |
| Configuração | Ponte de meia onda (Half Bridge) |
| Tecnologia | IGBT M7 Trench |
| Encapsulamento | SEMiX 3p (150x62x17 mm) |
| Temperatura de Junção (Tj) | -40°C a +150°C |
| Recursos de Proteção | Proteção contra curto-circuito e sobretensão |
| Montagem | Parafusos ou prensa |
Compatibilidade e Aplicações
O módulo SEMiX703GB12M7p é comumente utilizado em inversores de frequência para acionamentos de motores, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) de alta capacidade, e em sistemas de tração. Sua alta capacidade de corrente e tensão o tornam uma escolha adequada para projetos que exigem desempenho e confiabilidade.
Aplicações comuns incluem:
- Inversores
- UPS
- Tração
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