Semikron SEMiX223GB17E4p – Módulo IGBT de Alta Potência
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O SEMiX223GB17E4p é um módulo IGBT de meia ponte, projetado para aplicações de alta potência que exigem desempenho e confiabilidade excepcionais. Com tecnologia IGBT 4 (Trench) de última geração, este módulo oferece excelente desempenho de comutação, baixas perdas e alta eficiência.
Especificações Técnicas do Semikron SEMiX223GB17E4p:
- Tensão de Colecionador-Emissor (VCES): 1700V
- Corrente de Colecionador (IC): 225A
- Configuração: Meia Ponte
- Tecnologia: IGBT 4 (Trench)
- Temperatura de Junção Máxima (Tj): 150°C
- Encapsulamento: SEMiX 3p (150x62x17)
- Tempo de Subida (tr): 45ns
- Tempo de Descida (tf): 145ns
Aplicações Típicas:
O Semikron SEMiX223GB17E4p é ideal para uma variedade de aplicações de alta potência, incluindo:
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Conversores de energia solar
- Acionamentos de motor industriais
- Soldagem
- Aquecimento por indução
Benefícios do Semikron SEMiX223GB17E4p:
Este módulo IGBT oferece uma série de benefícios significativos, como:
- Alta eficiência: Baixas perdas de comutação e condução, resultando em menor consumo de energia.
- Alta confiabilidade: Tecnologia robusta e encapsulamento durável garantem longa vida útil e operação confiável.
- Excelente desempenho de comutação: Tempos de subida e descida rápidos permitem alta frequência de comutação.
- Fácil integração: Design compacto e padrão de encapsulamento facilitam a integração em seus projetos.
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