Módulo IGBT Semikron SEMiX653GAL176HDs
O módulo IGBT SEMiX653GAL176HDs da Semikron é projetado para aplicações de alta potência, oferecendo desempenho otimizado em diversas topologias de inversores e conversores. Sua tecnologia IGBT 3 (Trench) garante baixas perdas de comutação e condução, maximizando a eficiência em sistemas que operam em faixas de tensão de até 1700V e correntes de até 450A. A robustez térmica do invólucro SEMiX 3s (150x64x17) assegura operação confiável mesmo em ambientes desafiadores, prolongando a vida útil do equipamento.
Com configuração Single Switch, o SEMiX653GAL176HDs é construído com semicondutor de Silício Homogêneo e possui coeficiente de temperatura positivo em VCE(sat), otimizando o paralelismo. A certificação UL (arquivo nº E63532) atesta a conformidade com padrões de segurança, tornando-o uma escolha segura para seus projetos.
Especificações
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Número da peça | 27890540 |
| Tecnologia | IGBT 3 (Trench) |
| Tensão coletor-emissor (VCES) | 1700 V |
| Corrente de coletor (ICnom) | 450 A |
| Configuração | Single Switch |
| Invólucro | SEMiX 3s (150x64x17) |
| Material do semicondutor | Silício Homogêneo |
| VCE(sat) | Coeficiente de temperatura positivo |
| Aprovações | UL (arquivo nº E63532) |
Compatibilidade e aplicações
O módulo SEMiX653GAL176HDs é amplamente utilizado em inversores de frequência para acionamento de motores, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e sistemas de tração. Sua capacidade de lidar com altas correntes e tensões o torna adequado para fontes industriais robustas.
Referência do fabricante
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Datasheet (PDF)
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