Semikron SEMiX303GD12E4c – Módulo IGBT de Alta Potência
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O Semikron SEMiX303GD12E4c é um módulo IGBT trifásico de alta potência, projetado para aplicações exigentes que requerem alto desempenho e confiabilidade. Com tecnologia de ponta e recursos avançados, este módulo é ideal para uma variedade de aplicações industriais, como inversores de frequência, conversores de energia, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e muito mais.
Especificações Técnicas do Semikron SEMiX303GD12E4c:
- Tecnologia: IGBT 4 (Trench)
- Tensão de Coleletor-Emissor (VCES): 1200 V
- Corrente de Coleletor (IC): 300 A
- Configuração: Six Pack (3 pares de IGBTs e diodos)
- Encapsulamento: SEMiX 33c (150x163x17 mm)
- Temperatura de Junção (Tj): -40°C a +150°C
- Recursos de Proteção: Proteção contra curto-circuito, proteção contra sobretensão, proteção contra sobretemperatura
- Aplicações: Inversores de frequência, conversores de energia, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), acionamentos de motor, soldagem, aquecimento por indução
Benefícios do Semikron SEMiX303GD12E4c:
O Semikron SEMiX303GD12E4c oferece uma série de benefícios que o tornam a escolha ideal para suas aplicações de alta potência:
- Alto desempenho: A tecnologia IGBT 4 (Trench) garante alta eficiência e baixas perdas de comutação, resultando em menor consumo de energia e maior confiabilidade.
- Robustez e confiabilidade: Projetado para suportar condições operacionais exigentes, o módulo oferece excelente robustez e confiabilidade, mesmo em ambientes industriais adversos.
- Recursos de proteção integrados: Os recursos de proteção integrados garantem a segurança do dispositivo e do sistema em caso de falhas ou condições anormais de operação.
- Design compacto: O encapsulamento SEMiX 33c oferece um design compacto e leve, facilitando a integração em seus projetos.
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