MOSFET CoolSiC 750V G2 7mΩ Infineon – Q DPAK – IMDQ75R007M2H

O MOSFET CoolSiC™ 750 V Geração 2 da Infineon, modelo IMDQ75R007M2H, representa um avanço significativo em tecnologia de semicondutores de potência. Este componente, encapsulado em Q DPAK com dissipação de calor pela parte superior, oferece desempenho aprimorado de chaveamento, perdas reduzidas e melhor gerenciamento térmico. Em comparação com a Geração 1, o IMDQ75R007M2H apresenta um aumento de 25% na velocidade de chaveamento e até 35% de melhoria no índice de mérito (FOM), resultando em sistemas mais eficientes, compactos e confiáveis para aplicações industriais. Seu valor ultra baixo de RDS(on) de 7 mΩ o torna especialmente adequado para aplicações de chaveamento estático, como eFuse e disjuntores de estado sólido. A tecnologia CoolSiC™ empregada neste dispositivo garante alta confiabilidade e durabilidade, tornando o IMDQ75R007M2H uma escolha excelente para projetos que exigem desempenho superior e eficiência energética.