Transistor MOSFET 650V CoolMOS™ 8 Infineon – IPDQ65R008CM8

O transistor MOSFET IPDQ65R008CM8 da Infineon Technologies representa a mais recente geração da família CoolMOS™, a série 8, sucessora da série 7 (C7 e CFD7). Este componente oferece eficiência superior em comparação com seus antecessores, otimizando o desempenho em diversas aplicações. Com uma tensão de ruptura de 650V, o IPDQ65R008CM8 incorpora um buffer adicional de 50V, atendendo aos requisitos de aplicações de alta potência. Além disso, o dispositivo possui um diodo de corpo rápido em toda a gama de produtos, proporcionando um desempenho robusto e confiável. Ideal para aplicações industriais, fontes de alimentação chaveadas, conversores CC-CC e inversores, o IPDQ65R008CM8 é projetado para oferecer alta eficiência e confiabilidade em ambientes exigentes. A tecnologia CoolMOS™ 8 da Infineon assegura baixa resistência no estado ligado (Rds(on)) e perdas de comutação minimizadas, resultando em maior eficiência energética. O IPDQ65R008CM8 é uma solução avançada para engenheiros que buscam otimizar o desempenho e a durabilidade em seus projetos eletrônicos.