MOSFET CoolSiC 1200V – Q DPAK Dual Half Bridge – IMSQ120R012M2HH

O IMSQ120R012M2HH é um MOSFET CoolSiC™ discreto de 1200 V da Infineon Technologies, projetado em um encapsulamento Q DPAK de ponte dupla half bridge, com resitência de 12 mΩ da geração G2. Este componente é ideal para uma ampla gama de aplicações industriais, incluindo inversores para acionamentos industriais, soluções de carregamento de veículos elétricos (EV), sistemas solares e fontes de alimentação ininterruptas (UPS). O encapsulamento Q DPAK com dissipação de calor na parte superior proporciona uma montagem mais fácil e um desempenho térmico superior. Comparado às soluções com dissipação de calor na parte inferior, o IMSQ120R012M2HH permite um layout de PCB otimizado, reduzindo efeitos de componentes parasitas e indutâncias parasitas, além de melhorar o gerenciamento térmico. O encapsulamento Q DPAK Dual half bridge com dissipação de calor superior representa uma nova era em eficiência energética, flexibilidade de projeto e desempenho. A utilização do IMSQ120R012M2HH possibilita a redução de custos do sistema.