MOSFET CoolSiC 1200V Duplo Ponte H Q DPAK – IMSQ120R053M2HH

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CoolSiC™ MOSFET discrete 1200 V in top-side cooled Q-DPAK dual half-bridge package

SKU: IMSQ120R053M2HH Categoria: Marca:

MOSFET CoolSiC 1200V Duplo Ponte H Q DPAK – IMSQ120R053M2HH

O IMSQ120R053M2HH é um MOSFET discreto CoolSiC™ de 1200 V, 53 mΩ G2, projetado pela Infineon Technologies. Este componente de alta performance é encapsulado em um Q DPAK de ponte dupla half-bridge com resfriamento superior, ideal para aplicações industriais exigentes. O encapsulamento Q DPAK com resfriamento superior permite uma montagem mais fácil e um desempenho térmico superior, otimizando o layout da placa de circuito impresso (PCB) e reduzindo os efeitos de componentes parasíticos e indutâncias parasitas. Comparado às soluções com resfriamento inferior, o IMSQ120R053M2HH oferece maior flexibilidade de projeto e melhor gerenciamento térmico, tornando-o adequado para aplicações como acionamentos industriais, soluções de carregamento de veículos elétricos, sistemas solares e fontes de alimentação ininterruptas (UPS). A tecnologia CoolSiC™ proporciona alta eficiência e confiabilidade, garantindo o desempenho otimizado do IMSQ120R053M2HH.

Especificações Técnicas

Tensão VDS 1200 V
Resistência RDS(on) 53 mΩ
Encapsulamento Q DPAK (Half-Bridge)
Tecnologia CoolSiC™
Tipo de Resfriamento Superior (Top Side Cooled)

Perguntas Frequentes

Quais são as principais aplicações do MOSFET IMSQ120R053M2HH?

O MOSFET IMSQ120R053M2HH é ideal para uma ampla gama de aplicações industriais, incluindo acionamentos industriais, soluções de carregamento de veículos elétricos (EV), sistemas solares e fontes de alimentação ininterruptas (UPS).

Quais são os benefícios do encapsulamento Q DPAK com resfriamento superior?

O encapsulamento Q DPAK com resfriamento superior oferece montagem mais fácil, desempenho térmico superior, otimização do layout da PCB, redução de componentes parasíticos e maior flexibilidade de projeto, contribuindo para um sistema mais eficiente e confiável.

Qual a importância da tecnologia CoolSiC™ no IMSQ120R053M2HH?

A tecnologia CoolSiC™ permite que o MOSFET IMSQ120R053M2HH atinja alta eficiência e confiabilidade, proporcionando desempenho otimizado e contribuindo para a redução de perdas de energia nas aplicações.

🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial IMSQ120R053M2HH – Infineon Technologies

📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet IMSQ120R053M2HH

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