MOSFET CoolSiC 650V G2 26 mΩ TOLL – Infineon IMT65R026M2H

O MOSFET CoolSiC™ 650 V Geração 2 (G2) no encapsulamento TOLL, modelo IMT65R026M2H, da Infineon Technologies, representa um avanço significativo em tecnologia de semicondutores de potência. Projetado para otimizar o desempenho em aplicações que demandam alta eficiência e confiabilidade, o IMT65R026M2H utiliza a tecnologia CoolSiC™ G2 para superar as limitações de ciclos térmicos dos encapsulamentos convencionais. A integração da interconexão .XT reduz a resistência térmica, permitindo a utilização plena das características do SiC (carbeto de silício). O IMT65R026M2H se destaca pela sua alta densidade de potência em um formato compacto. Este MOSFET é ideal para conversores de energia, inversores solares, fontes de alimentação de alta eficiência e outras aplicações industriais. A tecnologia CoolSiC G2 proporciona menor perda de comutação e maior eficiência em comparação com os MOSFETs de silício tradicionais, resultando em menor dissipação de calor e maior vida útil do sistema.