MOSFET CoolSiC 650V G2 10 mΩ Q DPAK – IMDQ65R010M2H

O IMDQ65R010M2H é um MOSFET CoolSiC™ de 650 V da Geração 2 (G2) da Infineon, encapsulado em Q DPAK com resfriamento superior. Este componente utiliza as vantagens de desempenho superior de chaveamento da G2, proporcionando também o benefício do resfriamento pela parte superior, otimizando a dissipação de calor. Esta inovação complementa as ofertas atuais da CoolSiC™ em encapsulamento TOLT e CoolMOS™ em Q DPAK, permitindo melhorias abrangentes no nível do sistema. As aplicações típicas incluem fontes de alimentação chaveadas, inversores solares e sistemas de acionamento de motores. O IMDQ65R010M2H facilita a redução do espaço na placa, diminuição dos custos da lista de materiais (BOM) e maximização da densidade de potência do sistema. Sua tecnologia avançada garante alta eficiência e confiabilidade em diversas aplicações industriais.