MOSFET CoolSiC 650V G2 20 mΩ Q DPAK – IMDQ65R020M2H

O MOSFET CoolSiC™ 650 V Geração 2 (G2) no encapsulamento Q DPAK da Infineon, modelo IMDQ65R020M2H, representa um avanço significativo em tecnologia de semicondutores. Utilizando a superioridade da G2 em desempenho de comutação, este dispositivo oferece vantagens notáveis, incluindo resfriamento pela parte superior (top side cooling), otimizando a dissipação de calor. O IMDQ65R020M2H, com resistência de 20 mΩ, demonstra excelente eficiência. Esta inovação complementa as ofertas atuais da CoolSiC™ em encapsulamentos TOLT e CoolMOS™ em Q DPAK, permitindo melhorias abrangentes em nível de sistema. Os benefícios se estendem à redução do espaço na placa, diminuição dos custos da lista de materiais (BOM) e maximização da densidade de potência do sistema. Aplicações típicas incluem inversores solares, fontes de alimentação de alta eficiência, carregadores de veículos elétricos (EV) e sistemas de acionamento industrial, onde a confiabilidade e o desempenho são críticos. A escolha do IMDQ65R020M2H é ideal para projetos que exigem alta eficiência e confiabilidade.