MOSFET CoolSiC 650V G2 TO-247-4 Infineon – IMZA65R010M2H
O MOSFET CoolSiC™ 650 V, 10 mΩ G2 no encapsulamento TO-247-4, como o modelo IMZA65R010M2H, representa um avanço significativo na tecnologia de semicondutores de potência. Baseando-se nos pontos fortes da primeira geração, a G2 otimiza o projeto de sistemas para soluções mais econômicas, eficientes, compactas e confiáveis. Essa segunda geração apresenta melhorias significativas nos principais indicadores de mérito, tanto para operação em comutação rígida quanto em topologias de comutação suave. Isso o torna adequado para as combinações mais comuns de estágios AC-DC, DC-DC e DC-AC. O IMZA65R010M2H é ideal para aplicações industriais, como fontes de alimentação chaveadas, inversores solares e sistemas de acionamento de motores, onde a eficiência e a confiabilidade são cruciais.
Especificações Técnicas
| Tipo de Componente | MOSFET CoolSiC |
|---|---|
| Tensão | 650 V |
| Resistência | 10 mΩ |
| Encapsulamento | TO-247-4 |
Perguntas Frequentes
Quais são as principais aplicações do IMZA65R010M2H?
O MOSFET IMZA65R010M2H é ideal para fontes de alimentação chaveadas, inversores solares, sistemas de acionamento de motores e outras aplicações industriais que exigem alta eficiência e confiabilidade.
Quais são as vantagens da tecnologia CoolSiC™?
A tecnologia CoolSiC™ oferece maior eficiência energética, menor perda de comutação e maior densidade de potência, resultando em sistemas mais compactos e econômicos.
Qual o encapsulamento do IMZA65R010M2H?
O IMZA65R010M2H é fornecido no encapsulamento TO-247-4, proporcionando boa dissipação de calor e facilidade de montagem.
🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial IMZA65R010M2H – Infineon Technologies
📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet IMZA65R010M2H
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