MOSFET CoolSiC 650V G2 TO-247-4 – IMZA65R026M2H
O IMZA65R026M2H, um MOSFET CoolSiC™ 650 V G2 da Infineon Technologies, representa um avanço significativo em tecnologia de semicondutores de potência. Integrado em um encapsulamento TO 247 4, este componente eleva o desempenho de sistemas que exigem alta eficiência e confiabilidade. Baseado na tecnologia de segunda geração (G2), o IMZA65R026M2H oferece melhorias consideráveis em figuras de mérito cruciais para operações de chaveamento tanto rígido quanto suave. Essa versatilidade o torna adequado para uma ampla gama de topologias, incluindo AC-DC, DC-DC e DC-AC. O MOSFET é ideal para aplicações industriais que demandam alta performance e robustez, como inversores solares, fontes de alimentação de alta eficiência e carregadores de veículos elétricos. A Infineon, com o IMZA65R026M2H, proporciona uma solução otimizada, compacta e com ótimo custo-benefício para seus projetos.
Especificações Técnicas
| Tipo de Componente | MOSFET CoolSiC™ |
|---|---|
| Tensão | 650 V |
| Resistência (RDS(on)) | 26 mΩ |
| Encapsulamento | TO 247 4 |
Perguntas Frequentes
Quais são os principais benefícios do MOSFET IMZA65R026M2H?
O IMZA65R026M2H oferece melhorias significativas em eficiência, tamanho reduzido e maior confiabilidade, tornando-o ideal para diversas aplicações de potência.
Em quais tipos de aplicações o IMZA65R026M2H pode ser utilizado?
Este MOSFET é apropriado para aplicações AC-DC, DC-DC e DC-AC, incluindo inversores solares, fontes de alimentação e carregadores de veículos elétricos.
Qual a vantagem da tecnologia G2 presente no IMZA65R026M2H?
A tecnologia G2 oferece melhorias nas figuras de mérito, otimizando o chaveamento para operações rígidas e suaves, resultando em maior eficiência e desempenho.
🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial IMZA65R026M2H – Infineon Technologies
📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet IMZA65R026M2H
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