MOSFET CoolSiC 400V 11mΩ – Encapsulamento TOLL – IMT40R011M2H

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CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 in TOLL (PG-HSOF-8) package, 11 mΩ

SKU: IMT40R011M2H Categoria: Marca:

MOSFET CoolSiC 400V 11mΩ – Encapsulamento TOLL – IMT40R011M2H

O IMT40R011M2H da Infineon Technologies é um MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) CoolSiC™ de 400V, projetado para oferecer alta eficiência e baixo aquecimento em diversas aplicações industriais. Este componente se destaca por sua baixa resistência no estado ligado (RDS(on)) de apenas 11 mΩ, o que minimiza as perdas por condução e aumenta o desempenho geral do sistema. O encapsulamento TOLL (PG HSOF 8) otimiza a dissipação de calor, garantindo a confiabilidade mesmo em ambientes exigentes. O IMT40R011M2H é ideal para uso em inversores solares, fontes de alimentação de alta eficiência e carregadores de veículos elétricos. Sua tecnologia CoolSiC™ proporciona um desempenho superior em comparação com os MOSFETs de silício tradicionais, permitindo maior densidade de potência e menores perdas de energia. A Infineon projeta o IMT40R011M2H para atender aos mais rigorosos padrões de qualidade e confiabilidade, tornando-o uma escolha excelente para projetos que exigem o máximo de eficiência e durabilidade.

Especificações Técnicas

Tipo de Componente MOSFET CoolSiC™
Tensão VDS 400 V
Resistência RDS(on) 11 mΩ
Encapsulamento TOLL (PG HSOF 8)

Perguntas Frequentes

Quais são as principais vantagens do MOSFET IMT40R011M2H?

O IMT40R011M2H oferece baixa resistência no estado ligado (11 mΩ), tecnologia CoolSiC™ para alta eficiência, e encapsulamento TOLL para melhor dissipação de calor. Isso resulta em maior eficiência e confiabilidade em diversas aplicações.

Em quais aplicações o IMT40R011M2H pode ser utilizado?

Este MOSFET é ideal para inversores solares, fontes de alimentação de alta eficiência e carregadores de veículos elétricos, onde alta eficiência e desempenho são cruciais.

Qual a importância do encapsulamento TOLL no IMT40R011M2H?

O encapsulamento TOLL (PG HSOF 8) otimiza a dissipação de calor, garantindo a operação confiável do MOSFET mesmo em condições de alta potência e temperatura, prolongando a vida útil do componente.

🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial IMT40R011M2H – Infineon Technologies

📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet IMT40R011M2H

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