Transistor GaN 650V CoolGaN – IGOT65R035D2 Infineon
O IGOT65R035D2 é um transistor de potência GaN (nitreto de gálio) da família CoolGaN™ 650 V G5 da Infineon Technologies, projetado para otimizar a eficiência em operações de alta frequência. Este componente, encapsulado em um package DSO com dissipação de calor pela parte superior, atende aos mais altos padrões de qualidade, garantindo alta confiabilidade em projetos industriais. O transistor IGOT65R035D2 é ideal para aplicações que demandam alta performance e dissipação otimizada, como conversores de potência, fontes de alimentação chaveadas e inversores industriais. Sua tecnologia GaN permite ganhos significativos em eficiência em comparação com transistores de silício tradicionais, resultando em menor perda de energia e maior vida útil do equipamento. A Infineon projetou o IGOT65R035D2 para proporcionar desempenho superior e confiabilidade em uma ampla gama de aplicações.
Especificações Técnicas
| Tipo de Componente | Transistor de Potência GaN |
|---|---|
| Tensão | 650 V |
| Família | CoolGaN™ G5 |
| Encapsulamento | DSO (dissipação de calor pela parte superior) |
Perguntas Frequentes
Quais são os principais benefícios do transistor IGOT65R035D2?
O IGOT65R035D2 oferece alta eficiência em operação de alta frequência, menor perda de energia e maior confiabilidade, ideal para aplicações industriais exigentes.
Em quais aplicações o IGOT65R035D2 pode ser utilizado?
Este transistor é ideal para conversores de potência, fontes de alimentação chaveadas e inversores industriais, entre outras aplicações que requerem alta eficiência e desempenho.
Qual a importância da tecnologia GaN no IGOT65R035D2?
A tecnologia GaN (nitreto de gálio) permite que o IGOT65R035D2 alcance níveis de eficiência superiores em comparação com os transistores de silício tradicionais, resultando em menor dissipação de calor e maior vida útil do equipamento.
🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial IGOT65R035D2 – Infineon Technologies
📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet IGOT65R035D2
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