MOSFET CoolSiC 650V G2 10 mΩ – Encapsulamento TO-263 – IMBG65R010M2H

O MOSFET CoolSiC™ 650 V, 10 mΩ G2, com encapsulamento D2PAK 7 (TO-263 7), representa um avanço significativo na tecnologia de semicondutores. Baseado nos pontos fortes da Geração 1, o IMBG65R010M2H permite o projeto acelerado de sistemas mais otimizados em custo, eficientes, compactos e confiáveis. A Geração 2 apresenta melhorias significativas em figuras de mérito cruciais tanto para operações de comutação brusca quanto para topologias de comutação suave, tornando-o adequado para todas as combinações comuns de estágios AC-DC, DC-DC e DC-AC. Este componente é ideal para aplicações industriais que exigem alta eficiência e confiabilidade, como fontes de alimentação, inversores solares e sistemas de acionamento de motores. O MOSFET IMBG65R010M2H oferece excelente desempenho térmico e elétrico, garantindo uma operação estável em condições adversas. O design do IMBG65R010M2H é otimizado para minimizar perdas de comutação, resultando em maior eficiência do sistema e menor geração de calor.