MOSFET CoolSiC 1200V 40 mΩ – Infineon IMBG120R040M2H

O IMBG120R040M2H da Infineon Technologies é um MOSFET CoolSiC™ de 1200 V e 40 mΩ da segunda geração (G2), projetado para otimizar o desempenho em diversas topologias de eletrônica de potência. Este componente, encapsulado em um D2PAK 7L (TO 263 7), representa um avanço significativo em relação à geração anterior, oferecendo melhorias notáveis em figuras de mérito, tanto em operação de chaveamento rígido quanto em topologias de chaveamento suave. A tecnologia CoolSiC™ permite a criação de soluções mais eficientes, compactas e confiáveis, reduzindo custos e aumentando a vida útil dos sistemas. O MOSFET IMBG120R040M2H é ideal para aplicações em conversores AC/DC, DC/DC e DC/AC, oferecendo excelente desempenho e robustez. Sua capacidade de operar em altas tensões e com baixa resistência no estado ligado o torna uma escolha excelente para sistemas de energia que demandam alta performance. Este componente é ideal para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação chaveadas e sistemas de acionamento de motores. O IMBG120R040M2H é uma solução avançada para engenheiros que buscam otimizar o desempenho e a eficiência energética de seus projetos.