MOSFET CoolSiC 1200V G2 – TO-263-7 – IMBG120R012M2H
O IMBG120R012M2H é um MOSFET CoolSiC™ de 1200 V da segunda geração (G2) da Infineon Technologies, projetado para otimizar o desempenho em aplicações de alta potência. Este componente, encapsulado em um TO-263-7 (D2PAK 7L), representa um avanço significativo em relação à tecnologia de primeira geração, oferecendo melhorias notáveis em figuras de mérito para operações de chaveamento duro e topologias de chaveamento suave. O MOSFET IMBG120R012M2H é ideal para uma ampla gama de aplicações, incluindo estágios AC-DC, DC-DC e DC-AC, tornando-o uma solução versátil para projetos que exigem alta eficiência, compacidade e confiabilidade. Sua arquitetura avançada permite o desenvolvimento de sistemas mais econômicos e com melhor desempenho. Este componente é amplamente utilizado em fontes de alimentação chaveadas, inversores solares, sistemas de acionamento de motores e equipamentos industriais.
Especificações Técnicas
| Tipo de Componente | MOSFET CoolSiC |
|---|---|
| Tensão | 1200 V |
| Encapsulamento | TO-263-7 (D2PAK 7L) |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Geração | G2 |
Perguntas Frequentes
Quais são os principais benefícios do MOSFET IMBG120R012M2H?
O IMBG120R012M2H oferece alta eficiência, compacidade, confiabilidade e otimização de custos, graças à tecnologia CoolSiC G2 da Infineon.
Em quais aplicações o IMBG120R012M2H é recomendado?
Este MOSFET é ideal para aplicações como fontes de alimentação chaveadas, inversores solares, sistemas de acionamento de motores e equipamentos industriais, abrangendo estágios AC-DC, DC-DC e DC-AC.
Qual o encapsulamento do MOSFET IMBG120R012M2H?
O IMBG120R012M2H é encapsulado em um TO-263-7 (D2PAK 7L).
🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial IMBG120R012M2H – Infineon Technologies
📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet IMBG120R012M2H
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