MOSFET SiC 1200V Automotivo TO247-4L 80mΩ – AIMZHN120R080M1T

O AIMZHN120R080M1T é um MOSFET de potência de carbeto de silício (SiC) de 1200V, projetado pela Infineon para aplicações automotivas exigentes. Este componente utiliza a tecnologia de chip otimizada para desempenho da Infineon (Gen1p), que garante um desempenho de chaveamento de classe mundial, robustez contra ativações parasíticas e melhorias na resistência em condução (RDSon) e resistência térmica junção-caso (Rth(j c)). O encapsulamento TO247-4L contribui para a dissipação eficiente do calor. O MOSFET AIMZHN120R080M1T é ideal para carregadores de bordo (OBC) e aplicações DCDC, proporcionando alta densidade de potência, eficiência superior e a capacidade de carregamento bidirecional, resultando em reduções significativas nos custos do sistema. Sua baixa resistência em condução de 80mΩ aprimora a eficiência geral do sistema, tornando-o uma escolha confiável para projetos automotivos modernos.