MOSFET SiC 1200V Automotivo TO247-4L Infineon – AIMZHN120R040M1T

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Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L, 40mΩ

SKU: AIMZHN120R040M1T Categoria: Marca:

MOSFET SiC 1200V Automotivo TO247-4L Infineon – AIMZHN120R040M1T

O AIMZHN120R040M1T é um MOSFET de potência SiC (Carbeto de Silício) de 1200V da Infineon Technologies, projetado para aplicações automotivas exigentes. Este componente utiliza a tecnologia de chip otimizada para desempenho da Infineon (Gen1p), que proporciona excelente desempenho de chaveamento, alta robustez contra acionamentos parasíticos e melhora na resistência RDS(on) e Rth(j-c). O encapsulamento TO247-4L oferece uma solução robusta e de baixa resistência térmica. O AIMZHN120R040M1T destaca-se pela alta densidade de potência, eficiência superior e capacidade de carregamento bidirecional, além de significativas reduções nos custos do sistema. É uma escolha ideal para carregadores de bordo (OBC) e aplicações DCDC. A tecnologia SiC do AIMZHN120R040M1T garante um desempenho superior em comparação com os MOSFETs de silício tradicionais, permitindo maior eficiência e menores perdas de energia.

Especificações Técnicas

Tipo de Componente MOSFET de Potência
Tensão 1200V
Tecnologia SiC (Carbeto de Silício)
Resistência RDS(on) 40mΩ
Encapsulamento TO247-4L

Perguntas Frequentes

Quais são os principais benefícios do MOSFET AIMZHN120R040M1T?

O AIMZHN120R040M1T oferece excelente desempenho de chaveamento, robustez contra acionamentos parasíticos, alta eficiência, alta densidade de potência e capacidade de carregamento bidirecional. Além disso, reduz os custos do sistema em comparação com soluções tradicionais.

Em quais aplicações o AIMZHN120R040M1T é recomendado?

Este MOSFET é ideal para carregadores de bordo (OBC) e aplicações DCDC em veículos automotivos, devido ao seu alto desempenho e eficiência.

Qual a tecnologia utilizada no AIMZHN120R040M1T?

O AIMZHN120R040M1T utiliza a tecnologia de chip otimizada para desempenho da Infineon (Gen1p) e é construído com tecnologia SiC (Carbeto de Silício), que oferece vantagens significativas em termos de eficiência e desempenho em comparação com MOSFETs de silício tradicionais.

🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial AIMZHN120R040M1T – Infineon Technologies

📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet AIMZHN120R040M1T

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