MOSFET SiC 1200V Automotivo TO247-4L 20mΩ – AIMZHN120R020M1T SKU AIMZHN120R020M1T

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Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L, 20mΩ

SKU: AIMZHN120R020M1T Categoria: Marca:

MOSFET SiC 1200V Automotivo TO247-4L 20mΩ – AIMZHN120R020M1T

O AIMZHN120R020M1T da Infineon Technologies é um MOSFET de potência SiC (Carbeto de Silício) de 1200V, projetado para aplicações automotivas. Este componente utiliza a tecnologia de chip otimizada para desempenho da Infineon (Gen1p), que proporciona excelente desempenho de chaveamento, alta robustez contra acionamentos parasíticos e melhorias na resistência em condução (RDSon) e resistência térmica (Rth(j c)). O MOSFET AIMZHN120R020M1T se destaca pela alta densidade de potência, eficiência superior e capacidade de carregamento bidirecional, além de significativas reduções nos custos do sistema. Essas características o tornam ideal para carregadores de bordo (OBC) e aplicações DCDC. O encapsulamento TO247-4L oferece excelente desempenho térmico, permitindo a operação em ambientes exigentes. A baixa resistência em condução de 20mΩ minimiza as perdas de energia, aumentando a eficiência do sistema.

Especificações Técnicas

Tipo de Componente MOSFET de Potência
Tensão VDS 1200V
Resistência em Condução (RDSon) 20mΩ
Tecnologia SiC (Carbeto de Silício)
Encapsulamento TO247-4L

Perguntas Frequentes

Quais são as principais aplicações do MOSFET AIMZHN120R020M1T?

O MOSFET AIMZHN120R020M1T é ideal para carregadores de bordo (OBC) e aplicações DCDC em veículos automotivos, devido à sua alta eficiência e capacidade de carregamento bidirecional.

Quais são os benefícios da tecnologia SiC utilizada no AIMZHN120R020M1T?

A tecnologia SiC (Carbeto de Silício) oferece melhor desempenho de chaveamento, maior robustez e eficiência superior em comparação com os MOSFETs de silício tradicionais, resultando em menor perda de energia e maior densidade de potência.

Qual a importância do encapsulamento TO247-4L no AIMZHN120R020M1T?

O encapsulamento TO247-4L fornece excelente desempenho térmico, permitindo que o MOSFET AIMZHN120R020M1T opere de forma confiável em ambientes de alta temperatura, essencial para aplicações automotivas.

🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial AIMZHN120R020M1T – Infineon Technologies

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