MOSFET SiC 1200V Automotivo 30mΩ – Infineon AIMZH120R030M1T
O AIMZH120R030M1T da Infineon é um MOSFET de potência de carbeto de silício (SiC) de 1200V projetado para aplicações automotivas. Este componente utiliza a tecnologia de chip otimizada para desempenho da Infineon (Gen1p), proporcionando desempenho de chaveamento superior, alta robustez contra acionamentos parasitas e RDSon e resistência térmica (Rth(j c)) aprimoradas. A combinação de alta densidade de potência, eficiência superior e a capacidade de carregamento bidirecional, aliada à redução significativa dos custos do sistema, tornam o AIMZH120R030M1T a escolha ideal para carregadores de bordo (OBC) e aplicações DCDC. O encapsulamento TO247-4L (terminais finos) garante uma dissipação de calor eficiente, essencial em ambientes automotivos exigentes. Este MOSFET SiC de 30mΩ representa um avanço em eficiência e desempenho para sistemas eletrônicos de potência.
Especificações Técnicas
| Tipo de Componente | MOSFET SiC |
|---|---|
| Tensão | 1200V |
| Resistência | 30mΩ |
| Encapsulamento | TO247-4L (terminais finos) |
Perguntas Frequentes
Quais as principais vantagens do AIMZH120R030M1T?
O AIMZH120R030M1T oferece alto desempenho de chaveamento, robustez aprimorada, alta densidade de potência, eficiência superior e capacidade de carregamento bidirecional, além de reduzir custos de sistema.
Quais as aplicações típicas do AIMZH120R030M1T?
Este MOSFET SiC é ideal para carregadores de bordo (OBC) e aplicações DCDC em sistemas automotivos.
Qual tecnologia de chip o AIMZH120R030M1T utiliza?
O AIMZH120R030M1T utiliza a tecnologia de chip otimizada para desempenho (Gen1p) da Infineon, garantindo desempenho superior.
🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial AIMZH120R030M1T – Infineon Technologies
📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet AIMZH120R030M1T
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