MOSFET SiC 1200V Automotivo TO247 – AIMZH120R010M1T

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Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 8.7mΩ

SKU: AIMZH120R010M1T Categoria: Marca:

MOSFET SiC 1200V Automotivo TO247 – AIMZH120R010M1T

O AIMZH120R010M1T é um MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) de potência de 1200V baseado em carbeto de silício (SiC), fabricado pela Infineon Technologies. Este componente, com encapsulamento TO247 de 4 terminais (fios finos), é otimizado para aplicações automotivas, oferecendo desempenho superior e robustez. A tecnologia de chip otimizada da Infineon (Gen1p) garante um excelente desempenho de comutação, minimizando as ativações parasitas e melhorando os parâmetros RDSon e Rth(j c). O AIMZH120R010M1T destaca-se pela sua alta densidade de potência e eficiência elevada, além de proporcionar capacidades de carregamento bidirecional. Essas características o tornam uma escolha ideal para carregadores de bordo (OBC) e aplicações DCDC, contribuindo para a redução significativa dos custos do sistema. Sua baixa resistência, de apenas 8.7mΩ, contribui para a eficiência em diversas aplicações.

Especificações Técnicas

Tipo de Componente MOSFET de Potência SiC
Tensão 1200V
Encapsulamento TO247 4L (fios finos)
RDSon 8.7mΩ
Tecnologia Gen1p (Infineon)

Perguntas Frequentes

Quais são as principais vantagens do MOSFET AIMZH120R010M1T?

O AIMZH120R010M1T oferece alta eficiência, excelente desempenho de comutação, robustez a ativações parasitas, baixa RDSon, alta densidade de potência e capacidades de carregamento bidirecional. Isso o torna ideal para aplicações exigentes, como carregadores de bordo e conversores DCDC.

Quais aplicações típicas utilizam o AIMZH120R010M1T?

Este MOSFET é ideal para carregadores de bordo (OBC) e aplicações DCDC em veículos automotivos, graças às suas características de desempenho e eficiência.

Qual a importância da tecnologia Gen1p da Infineon no desempenho do AIMZH120R010M1T?

A tecnologia Gen1p otimiza o desempenho do chip, resultando em melhor desempenho de comutação, maior robustez contra ativações parasitas e melhoria dos parâmetros RDSon e Rth(j c), contribuindo para a alta eficiência do componente.

🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial AIMZH120R010M1T – Infineon Technologies

📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet AIMZH120R010M1T

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