Módulo Ponte H CoolSiC™ MOSFET 1200V – FF6MR12KM1H
O FF6MR12KM1H da Infineon Technologies é um módulo ponte H de 1200V, projetado com a avançada tecnologia CoolSiC™ MOSFET. Este módulo, encapsulado no formato 62mm, oferece alta eficiência e desempenho em aplicações de comutação de alta potência. O FF6MR12KM1H incorpora a tecnologia de chip M1H, garantindo baixa resistência no estado ligado (5.5 mΩ) e perdas reduzidas. Disponível também com Material de Interface Térmica (TIM) pré-aplicado, facilita a dissipação de calor e otimiza a confiabilidade do sistema. Sua arquitetura de meia ponte é ideal para inversores, conversores DC-DC e outras aplicações industriais que exigem alta performance e robustez. O módulo FF6MR12KM1H é uma solução confiável para o desenvolvimento de sistemas eficientes e de longa durabilidade.
Especificações Técnicas
| Tipo de Componente | Módulo Ponte H |
|---|---|
| Tensão | 1200V |
| Tecnologia | CoolSiC™ MOSFET |
| Resistência no estado ligado (típica) | 5.5 mΩ |
| Encapsulamento | 62mm |
Perguntas Frequentes
Quais são as principais vantagens do módulo FF6MR12KM1H?
O FF6MR12KM1H oferece alta eficiência, baixa resistência no estado ligado e excelente desempenho em aplicações de alta potência, graças à tecnologia CoolSiC™ MOSFET e ao encapsulamento otimizado.
Quais aplicações típicas utilizam o FF6MR12KM1H?
Este módulo é ideal para inversores, conversores DC-DC, acionamentos de motores e outras aplicações industriais que exigem alta tensão e eficiência.
O módulo FF6MR12KM1H vem com material de interface térmica pré-aplicado?
Sim, o FF6MR12KM1H está disponível com Material de Interface Térmica (TIM) pré-aplicado, facilitando a montagem e melhorando o desempenho térmico do sistema.
🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial FF6MR12KM1H – Infineon Technologies
📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet FF6MR12KM1H
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