Módulo Ponte H CoolSiC™ MOSFET 1200V – FF2MR12KM1H

O FF2MR12KM1H da Infineon é um módulo de semicondutor de potência do tipo ponte H CoolSiC™ MOSFET, projetado para operar em tensões de até 1200V. Este componente é construído com a tecnologia M1H em um encapsulamento de 62mm, otimizado para aplicações industriais exigentes. A característica principal do FF2MR12KM1H é sua baixa resistência no estado ligado (2.1 mΩ) e a utilização da tecnologia CoolSiC™, que oferece alta eficiência e baixo tempo de comutação. Disponível também com Material de Interface Térmica (TIM) pré-aplicado para facilitar a montagem e melhorar a transferência de calor. Este módulo é ideal para inversores solares, acionamentos de motores de alta potência, fontes de alimentação chaveadas e sistemas de energia ininterrupta (UPS), oferecendo desempenho superior e confiabilidade em aplicações que demandam alta tensão e corrente.