Módulo Ponte H CoolSiC MOSFET 1200V – FF6MR12W2M1H_B70
O FF6MR12W2M1H_B70 da Infineon é um módulo EasyDUAL 2B que integra MOSFETs CoolSiC em configuração de meia ponte (half bridge) com tensão de 1200 V. Este módulo de potência de alto desempenho se destaca por sua baixa resistência de 6 mΩ, proporcionando maior eficiência e menor dissipação de calor em aplicações que exigem alta performance. O FF6MR12W2M1H_B70 incorpora tecnologia de contato PressFIT, facilitando a montagem e garantindo uma conexão robusta. Além disso, o módulo possui um sensor de temperatura NTC integrado e cerâmica de nitreto de alumínio, otimizando o gerenciamento térmico e a confiabilidade em ambientes exigentes. As aplicações típicas incluem inversores solares, sistemas de acionamento de motores, fontes de alimentação de alta eficiência e carregadores de veículos elétricos, onde a alta tensão e a baixa perda são cruciais. A escolha do FF6MR12W2M1H_B70 garante confiabilidade e desempenho superior.
Especificações Técnicas
| Tipo de Componente | Módulo de Potência MOSFET |
|---|---|
| Tensão | 1200 V |
| Configuração | Meia Ponte (Half Bridge) |
| Resistência | 6 mΩ |
| Tecnologia de Contato | PressFIT |
Perguntas Frequentes
Quais são as principais vantagens do FF6MR12W2M1H_B70?
O FF6MR12W2M1H_B70 oferece alta eficiência devido à baixa resistência, gerenciamento térmico otimizado com sensor NTC integrado e facilidade de montagem com tecnologia PressFIT. Sua configuração em meia ponte e a alta tensão de 1200V o tornam ideal para diversas aplicações de potência.
Em quais aplicações o FF6MR12W2M1H_B70 pode ser utilizado?
Este módulo é ideal para inversores solares, sistemas de acionamento de motores, fontes de alimentação de alta eficiência e carregadores de veículos elétricos, onde a alta tensão e a baixa perda são requisitos críticos.
O que significa CoolSiC e qual sua importância?
CoolSiC (Carboneto de Silício) representa a tecnologia de semicondutor utilizada nos MOSFETs do FF6MR12W2M1H_B70. Essa tecnologia permite maior eficiência, menor dissipação de calor e desempenho superior em comparação com soluções tradicionais de silício.
🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial FF6MR12W2M1H_B70 – Infineon Technologies
📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet FF6MR12W2M1H_B70
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