IGBT 650V 150A com Diodo Anti-Paralelo TO247PLUS3 – IKQ150N65EH7

O IKQ150N65EH7 é um IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) de alta performance da Infineon Technologies, projetado para aplicações que exigem alta eficiência energética. Este componente, com tensão de 650V e corrente de 150A, integra um diodo anti-paralelo, otimizando o desempenho em aplicações de comutação. O encapsulamento TO247PLUS 3 facilita a dissipação de calor, garantindo a confiabilidade em condições operacionais severas. A tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT7 H7, utilizada no IKQ150N65EH7, representa um avanço significativo em relação às gerações anteriores, oferecendo comutação mais rápida e menores perdas. Aplicações típicas incluem inversores solares, fontes chaveadas, sistemas de acionamento de motores e equipamentos de soldagem industrial. A combinação de alta capacidade de corrente, tensão e eficiência torna o IKQ150N65EH7 uma excelente escolha para projetistas que buscam otimizar o desempenho e a confiabilidade de seus sistemas.