Módulo IGBT 1200V 800A Emitter Comum – FF800R12KE7_E
O FF800R12KE7_E da Infineon é um módulo IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) de emissor comum projetado para aplicações industriais de alta potência. Este dispositivo opera com uma tensão de 1200V e corrente nominal de 800A, oferecendo alta robustez e confiabilidade. O módulo incorpora a tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT7 e um diodo de emissor controlado, otimizando o desempenho e a eficiência. O encapsulamento de 62mm facilita a integração em diversos sistemas. O FF800R12KE7_E é ideal para inversores de frequência, sistemas de acionamento de motores, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e outras aplicações que exigem comutação rápida e controle preciso de energia. A combinação de baixo VCE(sat) e diodo de emissor controlado resulta em perdas reduzidas e maior eficiência geral do sistema. A Infineon, fabricante do FF800R12KE7_E, é conhecida por sua excelência em componentes de potência, garantindo alta qualidade e durabilidade.
Especificações Técnicas
| Tensão | 1200 V |
|---|---|
| Corrente | 800 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT7 |
| Configuração | Emitter Comum |
Perguntas Frequentes
Quais são as principais aplicações do FF800R12KE7_E?
O FF800R12KE7_E é ideal para inversores de frequência, sistemas de acionamento de motores, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e outras aplicações industriais que exigem alta potência e eficiência.
Qual a tecnologia IGBT utilizada no FF800R12KE7_E?
O FF800R12KE7_E utiliza a tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT7, que proporciona baixo VCE(sat) e um diodo de emissor controlado para otimizar o desempenho.
Qual o fabricante do FF800R12KE7_E?
O FF800R12KE7_E é fabricado pela Infineon Technologies, uma empresa renomada no setor de componentes eletrônicos.
🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial FF800R12KE7_E – Infineon Technologies
📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet FF800R12KE7_E
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