MOSFET SiC 2000V CoolSiC – TO247PLUS 4 – IMYH200R050M1H
O IMYH200R050M1H, um MOSFET de tecnologia CoolSiC™ da Infineon, representa um avanço significativo em componentes de potência. Este dispositivo, encapsulado em TO 247PLUS 4 HCC, foi projetado para operar em tensões de até 2000 V, otimizado para alta eficiência e confiabilidade em sistemas sob condições extremas. A tecnologia CoolSiC™ minimiza as perdas de potência, aumentando a eficiência e a vida útil do sistema. A interconexão .XT, presente no encapsulamento, garante a integridade do componente em aplicações de alta tensão e frequência de chaveamento. O IMYH200R050M1H é ideal para aplicações como inversores string, otimizadores solares, carregadores de veículos elétricos (EV) e sistemas de armazenamento de energia, onde a eficiência e a robustez são essenciais.
Especificações Técnicas
| Tipo de Componente | MOSFET SiC |
|---|---|
| Tensão de Drenagem-Fonte | 2000 V |
| Resistência de Drenagem-Fonte (Rds(on)) | 50 mΩ |
| Encapsulamento | TO 247PLUS 4 HCC |
Perguntas Frequentes
Quais são as principais aplicações do MOSFET IMYH200R050M1H?
O IMYH200R050M1H é ideal para aplicações de alta tensão e alta frequência, como inversores string para energia solar, otimizadores solares, carregadores de veículos elétricos (EV) e sistemas de armazenamento de energia.
Qual a principal vantagem da tecnologia CoolSiC™ utilizada no IMYH200R050M1H?
A tecnologia CoolSiC™ reduz significativamente as perdas de potência, aumentando a eficiência e a confiabilidade do sistema, mesmo em condições de alta tensão e frequência de chaveamento.
Qual o encapsulamento do IMYH200R050M1H?
O IMYH200R050M1H é encapsulado em TO 247PLUS 4 HCC.
🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial IMYH200R050M1H – Infineon Technologies
📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet IMYH200R050M1H
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