MOSFET SiC 2000V CoolSiC TO-247PLUS 4 HCC – IMYH200R012M1H

O IMYH200R012M1H é um MOSFET de potência CoolSiC™ de 2000 V fabricado pela Infineon Technologies, projetado para otimizar o desempenho em aplicações de alta tensão e frequência de chaveamento. Este componente utiliza a tecnologia SiC (carbeto de silício) e é encapsulado em um TO 247PLUS 4 HCC, que melhora a dissipação de calor e a confiabilidade do sistema. O MOSFET IMYH200R012M1H oferece baixa perda de potência, resultando em maior eficiência em aplicações como inversores string, otimizadores de energia solar, carregadores para veículos elétricos (EV) e sistemas de armazenamento de energia. A tecnologia .XT de interconexão, presente no encapsulamento otimizado para 2000 V, garante alta performance mesmo sob condições operacionais severas. Este componente é ideal para engenheiros que buscam maximizar a eficiência e a confiabilidade de seus projetos.