MOSFET SiC 1200V Automotivo D2PAK – AIMBG120R020M1 SKU AIMBG120R020M1

O AIMBG120R020M1 da Infineon Technologies é um MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) de potência fabricado com tecnologia Silicon Carbide (SiC). Este componente de alto desempenho é projetado para aplicações automotivas, oferecendo uma tensão de ruptura de 1200V e uma resistência no estado ligado (RDS(on)) de 20mΩ. O encapsulamento D2PAK 7L proporciona uma excelente dissipação de calor, essencial em ambientes de alta potência. Este MOSFET SiC é ideal para uso em inversores de tração, carregadores de veículos elétricos (EV) e sistemas de gestão de bateria (BMS), onde a eficiência e a confiabilidade são cruciais. A tecnologia SiC permite uma comutação mais rápida e perdas menores, resultando em maior eficiência energética. O AIMBG120R020M1 se destaca por sua robustez e capacidade de operar em condições extremas, garantindo a durabilidade e o desempenho consistentes em aplicações críticas. Este componente da Infineon é uma solução avançada para otimizar o desempenho e a eficiência em sistemas automotivos modernos.