MOSFET SiC 1200V 14mΩ CoolSiC TO247-3 Infineon – IMW120R014M1H

O IMW120R014M1H da Infineon Technologies é um MOSFET SiC (carbeto de silício) discreto, projetado para aplicações exigentes em eletrônica de potência. Este componente opera em 1200V e possui uma resistência de dreno-fonte de 14 mΩ, com encapsulamento TO247-3. Construído com tecnologia de ponta em trench, o IMW120R014M1H combina alto desempenho com confiabilidade, oferecendo a menor carga de porta e capacitância entre os dispositivos de 1200 V. Uma das principais vantagens do IMW120R014M1H é a ausência de perdas de recuperação reversa no diodo do corpo de comutação interno, juntamente com perdas de comutação baixas e independentes da temperatura, além de uma característica de condução sem limiar. Este MOSFET é ideal para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação de alta eficiência, carregadores de veículos elétricos e outros sistemas industriais que exigem alta performance e confiabilidade. Sua tecnologia CoolSiC proporciona ganhos significativos em eficiência energética e redução de perdas.