MOSFET SiC 1200V 20mΩ TO247-3 Infineon – IMW120R020M1H

O IMW120R020M1H da Infineon é um MOSFET discreto CoolSiC™ de 1200 V e 20 mΩ, encapsulado em TO247-3. Construído com uma tecnologia de semicondutores trench de última geração, este componente otimiza desempenho e confiabilidade. O IMW120R020M1H oferece a menor carga de porta e capacitância de dispositivo entre os chaveadores de 1200 V, ausência de perdas de recuperação reversa no diodo de comutação interno e baixas perdas de chaveamento independentes da temperatura. A característica de condução em estado ligado (on-state) é livre de limiar, garantindo uma operação eficiente em diversas aplicações. Este MOSFET é ideal para conversores de energia, inversores solares, fontes de alimentação chaveadas (SMPS) e sistemas de acionamento industrial, onde alta eficiência e robustez são cruciais. A Infineon projeta o IMW120R020M1H para atender às demandas de aplicações de alta tensão e alta frequência, garantindo desempenho superior e maior vida útil do sistema.