Fuji 6MBI150U4B-170

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Módulo IGBT Fuji 6MBI150U4B-170

Procurando por um módulo IGBT de alta qualidade e desempenho para sua aplicação? Apresentamos o Fuji 6MBI150U4B-170, um componente eletrônico de potência que oferece excelente performance e confiabilidade para uma variedade de projetos.

Especificações Técnicas do 6MBI150U4B-170

O módulo 6MBI150U4B-170 da Fuji Electric é um dispositivo semicondutor de última geração projetado para aplicações de alta potência. Com tecnologia IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), ele combina as vantagens dos transistores bipolares e MOSFETs, proporcionando alta eficiência e velocidade de comutação.

Confira as principais características do módulo IGBT Fuji 6MBI150U4B-170:

  • Tensão coletor-emissor (VCES): 1700V
  • Corrente de coletor (IC): 150A
  • Frequência de chaveamento: Alta frequência
  • Baixas perdas de condução
  • Tempo de comutação rápido
  • Encapsulamento compacto e robusto

Aplicações do Módulo IGBT Fuji

Graças ao seu excelente desempenho, o módulo IGBT 6MBI150U4B-170 pode ser utilizado em uma ampla gama de aplicações, incluindo:

  • Inversores de frequência
  • Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
  • Sistemas de aquecimento por indução
  • Controladores de motor
  • Soldagem
  • Energia renovável (solar e eólica)

Benefícios do 6MBI150U4B-170

Ao escolher o módulo IGBT Fuji 6MBI150U4B-170, você garante:

  • Alta eficiência energética, reduzindo o consumo de energia
  • Excelente desempenho em alta frequência, ideal para aplicações que exigem resposta rápida
  • Confiabilidade e durabilidade, garantindo o bom funcionamento do seu equipamento
  • Design compacto, facilitando a integração em diferentes projetos

Encontre o 6MBI150U4B-170 na Mokka Sensors

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