Módulo IGBT Fuji 2MBI800UG-170
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Especificações Técnicas do 2MBI800UG-170
O módulo 2MBI800UG-170 é um IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de sexta geração da Fuji Electric, projetado para oferecer alta eficiência e confiabilidade em aplicações de alta potência. Confira as especificações:
- Tensão coletor-emissor (VCES): 800V
- Corrente de coletor (IC): 170A
- Frequência de chaveamento: 20kHz
- Tempo de desligamento (tf): 1.1µs
- Encapsulamento: MiniDIP
- Configuração: Meia ponte
- Tecnologia: Trench-Gate NPT
Aplicações do Módulo IGBT Fuji 2MBI800UG-170
O 2MBI800UG-170 da Fuji é ideal para uma variedade de aplicações que exigem alta potência e performance, como:
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Inversores de frequência
- Sistemas de soldagem
- Aquecimento por indução
- Controladores de motor
- Energia renovável (solar e eólica)
Benefícios do 2MBI800UG-170
Ao escolher o módulo IGBT 2MBI800UG-170 da Fuji Electric, você se beneficia de:
- Alta eficiência: Menor perda de energia e maior economia.
- Alta confiabilidade: Longa vida útil e operação estável.
- Baixa indutância: Minimiza interferências eletromagnéticas.
- Tecnologia avançada: IGBT de sexta geração com tecnologia Trench-Gate NPT.
- Design compacto: Facilita a integração em diversos projetos.
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