Módulo IGBT Fuji 2DI50M-050D
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Especificações Técnicas do 2DI50M-050D
O módulo 2DI50M-050D é um IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de potência, ideal para aplicações que exigem alta eficiência e confiabilidade. Fabricado pela Fuji Electric, renomada empresa japonesa com expertise em semicondutores, este componente oferece um excelente desempenho em diversas áreas.
Confira abaixo as principais características do módulo IGBT Fuji 2DI50M-050D:
- Tensão coletor-emissor (VCES): 500V
- Corrente de coletor (IC): 50A
- Configuração: Meio-ponte
- Encapsulamento: 2DI
- Tecnologia de chip: NPT (Non-Punch Through)
- Tempo de desligamento típico (tf): 250ns
- Diodo emissor reverso ultra-rápido
- Baixa indutância e alta capacidade de corrente
- Excelente desempenho em altas frequências
Aplicações do Módulo IGBT Fuji 2DI50M-050D
Graças à sua robustez e performance, o 2DI50M-050D é indicado para uma variedade de aplicações, como:
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Inversores de frequência
- Sistemas de soldagem
- Aquecimento por indução
- Controle de motores
- Condicionadores de energia
Por que escolher o Fuji 2DI50M-050D?
O módulo IGBT 2DI50M-050D da Fuji Electric oferece uma série de vantagens que o tornam a escolha ideal para seus projetos:
- Alta eficiência energética, reduzindo perdas e melhorando o desempenho geral do sistema.
- Excelente capacidade de comutação, garantindo operação suave e precisa em altas frequências.
- Confiabilidade e durabilidade comprovadas, suportando condições de operação exigentes.
- Tecnologia NPT, que proporciona maior robustez e resistência a curto-circuitos.
- Design compacto e leve, facilitando a integração em diferentes projetos.
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