Fuji 2DI100M-120
Módulo IGBT 2DI100M-120 Fuji: Alta Potência e Confiabilidade para suas Aplicações
Procurando por um módulo IGBT de alta qualidade que atenda às suas necessidades de potência e desempenho? Apresentamos o Fuji 2DI100M-120, um componente eletrônico de última geração projetado para oferecer excelente performance em uma variedade de aplicações industriais.
O 2DI100M-120 é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) fabricado pela Fuji Electric, empresa renomada por sua expertise em semicondutores de potência. Este módulo se destaca por sua alta capacidade de corrente e tensão, tornando-o ideal para aplicações que exigem robustez e eficiência, como:
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Conversores de frequência
- Sistemas de acionamento de motores
- Soldagem industrial
- Aquecimento por indução
Especificações Técnicas do Fuji 2DI100M-120:
- Tensão coletor-emissor (VCES): 1200V
- Corrente coletor (IC): 100A
- Frequência de chaveamento: 20kHz
- Temperatura de junção (Tj): -40°C a 150°C
- Encapsulamento: Módulo de seis (6) pinos
- Tecnologia de chip: IGBT de sexta geração
Benefícios do Módulo IGBT Fuji 2DI100M-120:
O módulo IGBT Fuji 2DI100M-120 oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha superior para suas aplicações de eletrônica de potência:
- Alta eficiência: Perdas de energia reduzidas, resultando em menor consumo e maior economia.
- Baixa indutância: Minimiza interferências eletromagnéticas e melhora a performance em altas frequências.
- Robustez e confiabilidade: Construção robusta que garante longa vida útil e operação confiável em ambientes industriais desafiadores.
- Tecnologia avançada: Incorpora a mais recente tecnologia de chip IGBT da Fuji Electric para garantir desempenho e eficiência superiores.
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