Fuji 2DI100-055
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Especificações do Fuji 2DI100-055
O 2DI100-055 é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de alta potência fabricado pela Fuji Electric. Projetado para aplicações industriais exigentes, este dispositivo oferece excelente desempenho e confiabilidade em uma variedade de aplicações de controle de motor e acionamento.
Este módulo IGBT possui uma estrutura de sexta geração com tecnologia de chip NPT, que proporciona menor perda de energia e maior eficiência. Com uma tensão de isolamento de 1200V e uma corrente nominal de 100A, o 2DI100-055 é ideal para uso em inversores, conversores de frequência, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e outras aplicações de alta potência.
Características principais:
- Tensão de isolamento: 1200V
- Corrente nominal: 100A
- Tecnologia de chip NPT de sexta geração
- Baixa perda de energia
- Alta eficiência
- Excelente confiabilidade
Aplicações do Módulo IGBT 2DI100-055
O módulo IGBT 2DI100-055 da Fuji é uma escolha versátil para uma ampla gama de aplicações, incluindo:
- Inversores de frequência
- Conversores de frequência
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Sistemas de aquecimento por indução
- Soldagem a arco
- Controle de motor
- Acionamentos de velocidade variável
Benefícios do Fuji 2DI100-055
Ao escolher o Fuji 2DI100-055, você se beneficia de:
- Alto desempenho: A tecnologia avançada de chip NPT garante excelente desempenho e eficiência em aplicações de alta potência.
- Confiabilidade excepcional: Construído com os mais altos padrões de qualidade, o 2DI100-055 oferece confiabilidade e durabilidade superiores.
- Eficiência energética: A baixa perda de energia contribui para a redução do consumo de energia e dos custos operacionais.
- Versatilidade: Adequado para uma variedade de aplicações industriais, oferecendo flexibilidade e valor.
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