Fuji 1D200B-1K

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Módulo IGBT Fuji 1D200B-1K

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O 1D200B-1K é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de alta potência fabricado pela Fuji Electric. Projetado para aplicações industriais exigentes, este dispositivo oferece excelente desempenho e confiabilidade em uma variedade de aplicações de conversão de energia.

Especificações Técnicas do Fuji 1D200B-1K:

  • Tensão coletor-emissor (VCES): 1200V
  • Corrente de coletor (IC): 200A
  • Frequência de chaveamento: Alta frequência
  • Tempo de desligamento (tf): Rápido
  • Perdas de comutação: Baixas
  • Encapsulamento: Módulo
  • Configuração: Meia ponte
  • Aplicações: Inversores, conversores, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), acionamentos de motor e outras aplicações de alta potência.

Características e Benefícios:

O módulo IGBT 1D200B-1K da Fuji Electric oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha ideal para diversas aplicações:

  • Alta capacidade de corrente: Permite o controle de cargas de alta potência com eficiência.
  • Baixas perdas de condução: Reduz o consumo de energia e aumenta a eficiência do sistema.
  • Tempo de comutação rápido: Melhora o desempenho e a eficiência em aplicações de alta frequência.
  • Excelente robustez e confiabilidade: Garante operação estável em ambientes industriais desafiadores.
  • Tecnologia de ponta da Fuji Electric: Sinônimo de qualidade e desempenho no mercado de eletrônicos de potência.

Aplicações Típicas:

O Fuji 1D200B-1K é adequado para uma ampla gama de aplicações, incluindo:

  • Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
  • Inversores de frequência
  • Conversores de energia
  • Sistemas de acionamento de motor
  • Soldagem
  • Aquecimento por indução

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